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進相器用可控硅損傷問題常有現狀定性分析

 當晶閘管傷害后應該體檢解析其理由時,可把管芯從保壓套中存入,另存芯盒再存入單片機芯片,洞察定性分析其傷害后的印痕,以辨別是何理由。那么了解這么幾種長見癥狀解析。

1、工作的電壓值穿透。雙向可控硅因不是能受工作的電壓值而損毀,其處理器中含一家光滑整潔的孔眼,突然之間需備改變鏡這樣才能看了。其主要原因幾率是連接管本來耐沖擊越來越低或被電路原理中斷時產生的高工作的電壓值穿透。
 
2、感應直流電損害。感應直流電損害的印子優點是基帶芯片被燒連成一片個凹坑,且粗造,其區域在沉迷于操控極上。
 
3直流電壓增漲率搞壞。其跡象與直流電壓搞壞相似,此其地方在操作極符近或就在操作極上。 
 
4、 角處丟失。他再次發生在集成ic外圓倒角處,有很小滑膩的小圓孔。用調大鏡可遇到倒角面上長細細地塑料物磨痕。這便是創造產品安裝程序無意所誘發的。它會造成電壓降電壓擊穿。 
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